CMOS半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-036575
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222385
出願日： 2005年02月14日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】従来のメタルゲート技術では、nMOSFET及びpMOSFETのゲート電極が異なる金属で形成され、製造プロセスが複雑化するという問題があった。本発明では、nMOSFETとpMOSFETで同一のメタルゲート有し、集積化容易なCMOS半導体装置を提供する。【解決手段】 nMOSFET、pMOSFETから形成される半導体装置において、nMOSFET、pMOSFETの前記金属ゲート電極は、Ti、Zr、Hf、Ta及びLa等の希土類金属元素、もしくはこれら金属のボライド、シリサイド、ジャーマナイド化合物のいずれか一つの同一の金属材料からなり、nMOSFET及びpMOSFETの前記絶縁膜の少なくとも金属電極側は異なる絶縁膜材料としたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された金属ゲート電極とを具備するnMOSFET及びpMOSFETから形成される半導体装置において、nMOS FET及びpMOSFETの前記金属電極はTi、Zr、Hf、Ta及びLa等の希土類金属元素、もしくはこれら金属のボライド、シリサイド、ジャーマナイド化合物のいずれか一つの同一の金属材料からなり、nMOSFET及びpMOSFETの前記絶縁膜の少なくとも金属電極側は異なる絶縁膜材料からなることを特徴とするCMOS半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4件)：

H01L27/08 321D , H01L21/28 301R , H01L21/283 C , H01L29/58 G

Fターム (33件)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB34 , 4M104BB35 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 5F048AA09 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB15 , 5F048BB17 , 5F048BC05 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA23

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-082174 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-082614 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-381357 出願人：株式会社東芝

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