半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-293936
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108439
出願日： 2004年10月06日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】ゲートリーク電流および閾値電圧が低く、CMOS構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 NMOSFETは、シリコン酸化膜10と、ハフニウムシリケート膜11とからなるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に形成されたN型ポリシリコン膜15を有するゲート電極とを備える。また、PMOSFETは、シリコン酸化膜12と、ハフニウムシリケート膜13と、アルミニウム酸化膜14とからなるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に形成されたP型ポリシリコン膜16を有するゲート電極とを備える。アルミニウム酸化膜14の膜厚は2nm以下であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にNMOSFETとPMOSFETとで構成されるCMOSFETを備えた半導体装置において、前記NMOSFETは、前記シリコン基板の上に形成されたシリコン酸化膜と、該シリコン酸化膜の上に形成された第1の金属酸化膜とからなるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたN型ポリシリコン膜を有するゲート電極とを備え、前記PMOSFETは、前記シリコン基板の上に形成されたシリコン酸化膜と、該シリコン酸化膜の上に形成された第1の金属酸化膜と、該第1の金属酸化膜の上に形成された第2の金属酸化膜とからなるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたP型ポリシリコン膜を有するゲート電極とを備え、前記第1の金属酸化膜は、ハフニウムを含む酸化膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/092 , H01L 21/823

FI (1件)：

H01L27/08 321D

Fターム (18件)：

5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB15 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA27

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-349457 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (8件)

異種のゲート絶縁膜を有する半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-329176 出願人：三星電子株式会社
改善されたしきい電圧およびフラットバンド電圧の安定性を有する相補型金属酸化膜半導体(CMOS)構造およびそれを形成する方法(高k誘電体によるCMOSデバイス形成におけるしきい電圧制御を達成するためのバリア層の選択的実装)
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-515066 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-094149 出願人：株式会社東芝

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