特許
J-GLOBAL ID：200903017503837965
荷電粒子マスク欠陥修正装置によるフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066892
公開番号（公開出願番号）：特開2004-279461
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】イオンビームを用いたマスク欠陥修正や電子ビームを用いたマスク欠陥修正に対して、ハロー成分や再付着のない高品位なフォトマスクの欠陥修正を可能にする。【解決手段】イオンビームを用いたマスク欠陥修正装置や電子ビームを用いたマスク欠陥修正装置による白欠陥もしくは黒欠陥の修正個所に対して、ダメージのない電子ビーム加工装置で白欠陥修正個所のハロー成分や黒欠陥周辺の再付着もしくは白欠陥周辺の付着を除去する。白欠陥修正個所3のハロー成分に関しては、ハロー成分が存在する個所6を認識し、ガス銃5からビーム照射位置近傍に水蒸気を導入して電子ビーム4でエッチングを行い、ハロー成分6の除去を行う。黒欠陥材料の再付着領域8として認識したところにガス銃9からフッ化キセノンを流しながら電子ビーム4でエッチングを行い除去する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
イオンビームを用いたマスク欠陥修正装置で修正したフォトマスクの白欠陥修正個所のハロー成分を該ハロー成分位置に水蒸気を供給しながら電子ビームを照射してエッチングすることにより除去することを特徴とするフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G03F1/08 T
, G03F1/08 V
, G03F1/08 W
, H01L21/30 502P
2H095BD31
, 2H095BD32
, 2H095BD33
, 2H095BD36
