特許
J-GLOBAL ID：200903017792162342
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
矢作 和行
, 野々部 泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-128775
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021557
出願日： 2008年05月15日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】間引きチャネル型IGBTとダイオードの相互干渉を抑制することができ、小型で安価に製造することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁ゲートトレンチGTによりベース層32が分断され、エミッタ電極Eに接続されるボディ領域32bとエミッタ電極Eに接続されないフローティング領域32fとが構成されてなる間引きチャネル型IGBTと、前記IGBTに逆並列に接続されたダイオードとが、同じ半導体基板31に形成されてなり、IGBTセル領域が、単位セル領域と、ダイオードセル領域に隣接する境界セル領域とからなり、境界セル領域における隣り合った絶縁ゲートトレンGTの間隔Wxが、単位セル領域においてフローティング領域32fを構成する絶縁ゲートトレンチGTの間隔Wfに較べて狭い半導体装置200とする。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板において、
絶縁ゲートトレンチにより前記半導体基板の主面側の表層部に形成された第2導電型のベース層が分断され、前記分断されたベース層の領域で、エミッタ電極に接続されるボディ領域とエミッタ電極に接続されないフローティング領域とが構成され、前記半導体基板の裏面側の表層部に第2導電型の第1拡散層が形成されてなる間引きチャネル型IGBTと、
前記IGBTに逆並列に接続され、前記半導体基板の裏面側の表層部に第1導電型で該半導体基板より不純物濃度の高い第2拡散層が形成されてなるダイオードとが、
それぞれ、セルの集合体として形成されてなり、
前記第2拡散層上における前記ダイオードのセルの集合体でダイオードセル領域が構成され、
前記第1拡散層上における前記IGBTのセルの集合体でIGBTセル領域が構成され、
前記IGBTセル領域が、単位セルが繰り返し配置されてなる単位セル領域と、前記ダイオードセル領域に隣接する境界セル領域とからなり、
前記境界セル領域における隣り合った前記絶縁ゲートトレンチの間隔が、
前記単位セル領域において前記フローティング領域を構成する前記絶縁ゲートトレンチの間隔に較べて狭いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 27/04
, H01L 29/739
H01L29/78 652K
, H01L29/78 657D
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 652C
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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