特許
J-GLOBAL ID：200903017804075912
太陽電池モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-085007
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289889
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 電極と半導体層との接触を良好にし、かつ耐湿性に優れたバックシート構造にして、劣化の小さい寿命に優れた太陽電池及び太陽電池モジュールを得る。【解決手段】 n層3のシート抵抗を80Ω/□以下とし、ハンダ被覆が施されていない表銀グリッド電極10によるn層3を侵食する最大深さを、35nm以上120nm以下の範囲として構成する他、バックシートを、ポリビニルフルオライド52/金属箔71/ポリビニルフルオライド52の順に積層される積層構造からなるように構成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のシリコン基板と、前記第1導電型のシリコン基板の受光面に形成された第2導電型の半導体層と、前記第2導電型の半導体層を侵食して前記第2導電型の半導体層と接触するように形成された金属電極とを有する太陽電池モジュールにおいて、前記第2導電型の半導体層のシート抵抗を80Ω/□以下とし、前記金属電極による前記第2導電型の半導体層を侵食する最大深さを35nm以上120nm以下の範囲とし、前記金属電極は、ハンダ被覆が施されていないことを特徴とする太陽電池モジュール。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 F
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051BA18
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051FA06
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051GA04
, 5F051GA14
, 5F051HA01
, 5F051JA04
, 5F051JA05
