特許
J-GLOBAL ID：200903088234926802
太陽電池素子の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082256
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277778
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 電極材料を反射防止膜上から焼き付けて形成する際に、電極の被着強度が弱いという問題があった。【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜と一主面側の電極材料との間に電極材料中のガラスフリットの成分と親和性の高い酸化膜を介在させて前記電極材料を焼き付けるようにした。。
請求項（抜粋）：
一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基販の一主面側と他の主面側に電極材料を焼き付けて電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜と一主面側の電極材料との間に電極材料中のガラスフリットの成分と親和性の高い酸化膜を介在させて前記電極材料を焼き付けることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 F
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051CB20
, 5F051CB22
, 5F051CB27
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051FA18
, 5F051FA19
, 5F051GA06
, 5F051GA14
, 5F051HA07
