絶縁被膜および半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-223510
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091336
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】ゲイト絶縁膜としての使用に耐える信頼性のよい酸化珪素膜を低温で得る方法を提供する。【解決手段】エトキシ基を有する有機シラン(例えば、TEOS)と酸素を原料としてプラズマCVD法によって、島状の非単結晶シリコン領域を覆って酸化珪素膜を形成する際に、塩化水素や塩素を有する炭化水素(例えば、トリクロロエチレン)または弗素含有ガスを、好ましくは雰囲気の0.01〜1mol%混入させることによって、得られる酸化珪素膜からアルカリ元素を減らし、よって信頼性を高める。また、酸化珪素膜を形成する前に、酸素と塩化水素や塩素を有する炭化水素とのプラズマによってシリコン領域を処理する。

請求項（抜粋）：