特許
J-GLOBAL ID：200903017890345919
半導体レ-ザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216916
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077772
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】低抵抗で造りやすい新規なVCSEL構造を提供する。【解決手段】活性層(25)を挟んで、該活性層(25)の一方の側に配置されて、(i)第1の屈折率を備え、第1のドーパントを含む第1の半導体化合物から造られた第1の層(33)、及び、(ii)第2の屈折率を備え、第2のドーパントを含む第2の半導体化合物から造られた第2の層(35)を含む反射構造(27)が含まれている半導体レーザ装置。
請求項（抜粋）：
両側を備える活性層と、該活性層の一方の側に配置されて、(i)第1の屈折率を備え、第1のドーパントを含む第1の半導体化合物から造られた第1の層、及び、(ii)第2の屈折率を備え、第2のドーパントを含む第2の半導体化合物から造られた第2の層とを含む反射構造が含まれている半導体レーザ装置。
引用特許：
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