特許
J-GLOBAL ID：200903017900547752

半導体発光装置とその製造方法

発明者：
平田 照二

平田 照二 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-313942
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150320
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 窓構造を有する半導体発光装置の製造の煩雑さ、量産性の問題、信頼性の問題を解決する。【解決手段】 半導体基体1上に、少なくとも第1導電型のクラッド層2と、量子井戸構造を有する活性層4と、第2導電型のクラッド層6を有する半導体層8を有し、光共振器の共振器長方向の両端面が劈開面によって形成された構成とし、その半導体層8の成長膜厚が、この半導体層の面方向に、相対的に膜厚の小さい領域と、大きい領域とが選択的に作り込まれた構成とする。そして、光共振器の共振器長方向の両端部にその両端面に臨んで、膜厚の小さい領域12が形成され、光共振器の中央領域に膜厚が大きい領域11が形成された構成とする。
請求項（抜粋）：
基体上に、少なくとも第1導電型のクラッド層と、量子井戸構造を有する活性層と、第2導電型のクラッド層を有する半導体層を有し、光共振器の共振器長方向の両端面が劈開面によって形成され、上記半導体層の成長膜厚が、該半導体層の面方向に、相対的に膜厚の小さい領域と、大きい領域とが選択的に作り込まれ、上記光共振器の共振器長方向の両端部にその両端面に臨んで、上記膜厚の小さい領域が形成され、上記光共振器の中央領域に上記膜厚が大きい領域が形成されて成ることを特徴とする半導体発光装置。
引用特許：
審査官引用 (8件)
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