特許
J-GLOBAL ID:200903017922749979
発光半導体チップ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-520316
公開番号(公開出願番号):特表2004-507095
出願日: 2001年07月24日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
高出力のルミネセンスダイオードのための半導体チップ(1)が提案される。本発明の半導体チップの縦面は横面よりも格段に長い。こうした構成により光出力を大幅に改善することができる。
請求項(抜粋):
電磁放射を形成するゾーンを備えた活性層(2)と放射透過性の基板(3)とを有しており、
基板上に活性層が配置されており、
該基板は半導体チップを活性ゾーンの延在方向の側方で制限し、かつ少なくとも一部の放射を出力する横面(9)および縦面(6)を有している
発光半導体チップにおいて、
出力面として用いられる少なくとも1つの縦面(6)は活性ゾーンの延在方向で横面(9)よりも長い
ことを特徴とする発光半導体チップ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (11件):
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA03
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CB01
, 5F041DA07
, 5F041DA13
, 5F041DA36
, 5F041EE17
引用特許:
審査官引用 (13件)
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特開昭57-001275
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半導体発光素子、及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-235802
出願人:株式会社東芝
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特開昭59-004088
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