特許
J-GLOBAL ID：200903065683268941
半導体発光素子及びこれを用いた半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248962
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074978
出願日： 1996年08月31日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 偏向した配光特性が得られる半導体発光素子、素子が中心からはずれていても発光中心を中心に近付けられる半導体発光装置、良好な素子分離率を有しペレット端部の割れやカケが発生しない素子のスクライブ方法を提供する。【解決手段】 半導体発光素子は、(100)面に対し[011]方向に5〜20°傾斜させた化合物半導体基板に発光層などの半導体層を積層させたウェーハをスクライブ法で素子分離したスクライブペレット10を用いる。この半導体発光素子のペレットの向い合う1対の側面は傾斜していないが隣接する他の1対の側面は所定の角度だけ傾いている。側面には微小段差131が形成されている。半導体発光素子は偏光した配光特性が得られる。半導体発光素子は、非対称発光でありこれを用いて発光部と外囲器の中心とのずれ量を軽減し製品の配光特性を改善する。半導体発光素子の製造方法は、半導体基板上に化合物半導体層を積層したウエハにスクライブを行う際に基板結晶面にスクライブを行う。
請求項（抜粋）：
pn接合の垂直方向に発光面が形成され、相対向する側面のうち一対は、同一方向に垂直方向に対して一定の傾きを有し、前記発光面からの発光方向は、この発光面の法線方向からずれていることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01L 33/00 N
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (20件)
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