特許
J-GLOBAL ID：200903018000759041

半導体製造装置用保持体

発明者：
柊平 啓

柊平 啓 について

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夏原 益宏

夏原 益宏 について

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仲田 博彦

仲田 博彦 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-339616
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148143
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 ウエハ保持面の均熱性に優れ、コータデベロッパでのフォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化や、Low-kのような低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に好適に使用でき、装置全体の小型化が可能な半導体製造装置用保持体を提供する。【解決手段】 半導体製造装置用保持体は、抵抗発熱体2を有するセラミックス製のウエハ保持部1と、ウエハ保持部1を支持する支持体4とからなり、支持体4の熱伝導率がウエハ保持部1の熱伝導率よりも低く、ウエハ保持部1と支持体4は接合されていない。ウエハ保持部1はAlN、支持体4はムライトを主成分とすることが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
抵抗発熱体を有するセラミックス製のウエハ保持部と、ウエハ保持部を支持する支持体とからなり、支持体の熱伝導率がウエハ保持部の熱伝導率よりも低く、ウエハ保持部と支持体が接合されていないことを特徴とする半導体製造装置用保持体。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L21/30 566 ,  H01L21/30 567 ,  H01L21/31 A
Fターム (5件)：
5F045BB01 ,  5F045EK09 ,  5F045EM09 ,  5F045HA16 ,  5F046KA04
引用特許：
審査官引用 (8件)
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