多結晶シリコン膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276895
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114558
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】薄膜多結晶シリコン太陽電池の高効率化に好適なBSF機能を有した下地層を低コストで形成することによって、高効率で低コストな薄膜多結晶シリコン太陽電池の製造を可能とすることを目的とする。【解決手段】基板上に、シリコンと共融系を成す金属元素を含有する薄膜層とシリコン層とを積層して形成し、次いでこれを熱処理することによって前記金属元素とシリコンとを反応させて、前記基板上に上下二層から成る多結晶シリコン膜を形成する多結晶シリコン膜の形成方法において、前記シリコン層中にボロンを1×1018〜1×1022toms/cm3 含有させて前記熱処理をする。

請求項（抜粋）：

基板上に、シリコンと共融系を成す金属元素を含有する薄膜層とシリコン層とを積層して形成し、次いでこれを熱処理することによって前記金属元素とシリコンとを反応させて、前記基板上に上下二層から成る多結晶シリコン膜を形成する多結晶シリコン膜の形成方法において、前記シリコン層中にボロンを1×1018〜1×1022atoms/cm3 含有させて前記熱処理をすることを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。

Fターム (14件)：

5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051AA16 , 5F051CA13 , 5F051CA15 , 5F051CB12 , 5F051CB14 , 5F051CB15 , 5F051FA06 , 5F051GA02 , 5F051GA03 , 5F051GA06 , 5F051HA02

引用特許：

審査官引用 (9件)

多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-052052 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-225282
特開昭61-212070

全件表示

引用文献：

審査官引用 (3件)

前のページに戻る