磁気ランダムアクセスメモリ及び抵抗ランダムアクセスメモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-206956
公開番号（公開出願番号）：特開2008-084517
出願日： 2007年08月08日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】スピン注入書き込みを行う磁気ランダムアクセスメモリにおいて、参照素子における読み出しディスターバンスの発生を抑制する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、磁化方向が固定されている固定層pと磁化方向が書き込み電流の向きに応じて変化する記録層fと固定層及び記録層の間に挟まれた非磁性層とを有する記憶素子10-1と、固定層pと記録層fと固定層及び記録層の間に挟まれた非磁性層とを有し、反平行データが書き込まれている第1の参照素子10-2と、固定層pと記録層fと固定層及び記録層の間に挟まれた非磁性層とを有し、平行データが書き込まれている第2の参照素子10-3と、読み出し動作時に第1の参照素子10-2に固定層から記録層に向かって電流を印加し、読み出し動作時に第2の参照素子10-3に記録層から固定層に向かって電流を印加する電流源CC2とを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化方向が固定されている第1の固定層と磁化方向が書き込み電流の向きに応じて変化する第1の記録層と前記第1の固定層及び前記第1の記録層の間に挟まれた第1の非磁性層とを有する記憶素子と、磁化方向が固定されている第2の固定層と磁化方向が書き込み電流の向きに応じて変化する第2の記録層と前記第2の固定層及び前記第2の記録層の間に挟まれた第2の非磁性層とを有し、反平行データが書き込まれている第1の参照素子と、前記第1の参照素子と対になり、磁化方向が固定されている第3の固定層と磁化方向が書き込み電流の向きに応じて変化する第3の記録層と前記第3の固定層及び前記第3の記録層の間に挟まれた第3の非磁性層とを有し、平行データが書き込まれている第2の参照素子と、読み出し動作時に、前記第1の参照素子に前記第2の固定層から前記第2の記録層に向かって電流を印加し、前記第2の参照素子に前記第3の記録層から前記第3の固定層に向かって前記電流を印加する電流源とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (5件)：

G11C 11/15 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 43/08

FI (5件)：

G11C11/15 150 , G11C11/15 110 , H01L27/10 447 , H01L27/10 451 , H01L43/08 Z

Fターム (45件)：

4M119AA07 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD22 , 4M119DD23 , 4M119DD24 , 4M119DD25 , 4M119DD26 , 4M119DD27 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119HH04 , 4M119KK12 , 5F083FZ10 , 5F083GA15 , 5F083JA60 , 5F083LA10 , 5F083ZA28 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC42 , 5F092BC46 , 5F092EA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-431625 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

特許第6697294号
中間値発生器基準を有するMRAM
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-522938 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-304494 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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