半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258450
公開番号（公開出願番号）：特開2001-142224
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】微細なパターンを有する半導体装置を生産性良く作製する方法を提供する。【解決手段】同一基板上に表示装置と、微細素子を有する半導体装置とを作製する際に、微細加工が必要な被加工物に対して、表示装置のパターンを露光する第1の露光手段と、半導体装置のパターンを露光する第2の露光手段とを用いてレジストを露光することにより、線幅ルールの異なる半導体装置を生産性良く作製することができる。

請求項（抜粋）：

被加工物を基板上に形成する工程と、前記被加工物上にレジストを塗布する工程と、前記レジストに第1のパターンを露光する工程と、前記レジストに第2のパターンを露光する工程とを有し、前記第1のパターンを露光する工程における露光手段と、第2のパターンを露光する工程における露光手段が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (9件)：

G03F 7/20 501 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 342 , H01L 21/027 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (9件)：

G03F 7/20 501 , G09F 9/00 342 Z , H01L 27/08 331 E , G02F 1/136 500 , H01L 21/30 514 A , H01L 27/08 321 F , H01L 27/08 321 N , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-134919
露光方法及び露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-304232 出願人：キヤノン株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-016619 出願人：株式会社東芝

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