特許
J-GLOBAL ID：200903018169011500

冷電子放出素子及びその製造方法

発明者：
蒲生 秀典

蒲生 秀典 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078156
公開番号（公開出願番号）：特開平11-167858
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】 動作電圧を上昇させることなく局所的な大電流を抑えるとともに電流変動を最小限に低減でき、且つ低コスト化大面積化の容易なガラス基板上に形成できる、電界放射型の電子放出素子を提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁性基板1上に第1の導電層2、絶縁層5及びゲート電極7が順次積層され、該ゲート電極7と絶縁層5とには開口部Bが設けられ、その開口部B内にエミッタ8が該ゲート電極7に接触しないように形成されてなる電界放射型の冷電子放出素子において: エミッタ8を金属または金属酸化物もしくは金属窒化物から構成し; 第2の導電層3を、第1の導電層2と互いに直接接触しないように絶縁性基板1上に設け; 非単結晶シリコンからなる半導体薄膜層4を、少なくとも第1の導電層2と第2の導電層3との間の絶縁性基板1上に設け; そして、第3の導電層6を第1の導電層2及び第2の導電層3と互いに接触しないようにゲート絶縁層5′を介して半導体薄膜層4の上又は下に設ける。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に第1の導電層、絶縁層及びゲート電極が順次積層され、該ゲート電極と絶縁層とには開口部が設けられ、その開口部内にエミッタが該ゲート電極に接触しないように形成されてなる電界放射型の冷電子放出素子において、エミッタが金属または金属酸化物もしくは金属窒化物からなり、第2の導電層が、第1の導電層と互いに直接接触しないように絶縁性基板上に設けられており、非単結晶シリコンからなる半導体薄膜層が、少なくとも第1の導電層と第2の導電層との間の絶縁性基板上に設けられており、そして第3の導電層が第1の導電層及び第2の導電層と互いに接触しないようにゲート絶縁層を介して半導体薄膜層の上又は下に設けられていることを特徴とする冷電子放出素子。
IPC (2件)：
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (3件)：
H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 B ,  H01J 9/02 B
引用特許：
審査官引用 (9件)
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