基板処理装置および基板処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-294470
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227878
出願日： 2006年10月30日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】二流体ノズルを用いた基板処理における一層の低ダメージ化を実現する。【解決手段】この基板処理装置は、二流体ノズル2を備えている。二流体ノズル2には、液体吐出口41とそのまわりに円環状に設けられた気体吐出口36とが形成されている。二流体ノズル2に、純水と窒素ガスとを導入すると、それらは、それぞれ液体吐出口41および気体吐出口36から吐出されて混合され、液滴噴流となってウエハWに向けて供給される。気体吐出口36の外径aは2ミリメートル以上3.5ミリメートル以下であり、その幅cは0.05ミリメートル以上0.2ミリメートル以下である。ウエハW表面における液滴密度は、毎分108個/平方ミリメートル以上である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

処理対象の基板を保持する基板保持機構と、ケーシング、処理液を吐出する液体吐出口および気体を吐出する気体吐出口を有し、前記ケーシング内に処理液および気体を導入し、前記ケーシング外で前記液体吐出口から吐出される処理液と前記気体吐出口から吐出される気体とを混合して前記処理液の液滴を形成し、この液滴を前記基板保持機構に保持された基板の表面に供給する二流体ノズルとを含み、前記二流体ノズルから供給される液滴の前記基板表面における密度が、毎分108個/平方ミリメートル以上である、基板処理装置。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/304 643C , H01L21/304 648G , H01L21/304 648K

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板洗浄装置及び基板洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-351830 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

審査官引用 (7件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-151249 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
洗浄装置および洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-127984 出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
二流体ノズル及び噴霧方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-110313 出願人：株式会社共立合金製作所

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