特許
J-GLOBAL ID：200903040267214457
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-166937
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005469
出願日： 2003年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】処理対象の基板を良好に処理できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置1は、ウエハWをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック10と、スピンチャック10に保持されたウエハWに、フッ素系の不活性溶剤であるハイドロフルオロエーテル(以下、「HFE」という。)の液滴を供給して処理する二流体ノズル2とを含んでいる。スピンチャック10および二流体ノズル2は、チャンバ3内に配置されており、チャンバ3外には、ウエハWの処理に用いたHFEを回収する溶剤回収タンク8と、チャンバ3内で生じたHFEの蒸気を液化させて回収する溶剤液化装置13とが設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理対象の基板を保持する基板保持機構と、
純水の表面張力より小さな表面張力を有するフッ素系の不活性溶剤を供給する溶剤供給部と、
気体を供給する気体供給部と、
上記溶剤供給部から供給される上記不活性溶剤と、上記気体供給部から供給される気体とを混合して、当該不活性溶剤の液滴を生成し、上記基板保持機構に保持された処理対象の基板に当該不活性溶剤の液滴を噴射する二流体ノズルとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L21/304 643C
, H01L21/304 646
, H01L21/304 647Z
, H01L21/304 651A
