特許
J-GLOBAL ID：200903018523774621

pn接合を有するIII-V族化合物半導体装置

発明者：
山本 哲也

山本 哲也 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234946
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050796
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 pn接合を形成したデバイスにしてもn形層およびp形層のキャリア濃度を高く維持し、また、活性層に接するn形層やp形層のキャリア濃度を下げなくても、活性層への不純物の拡散を抑制することができ、低抵抗で高能率の動作をするpn接合を有するIII-V族化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 たとえばGaN化合物半導体からなるn形層(クラッド層)3と、GaN化合物半導体からなるp形層(クラッド層)5とが積層されることによりpn接合が形成されている。このn形層3が、たとえばSiのようなn形ドーパントだけでなく、たとえばMgのようなp形ドーパントを含有しており、また、p形層5も、たとえばMgのようなp形ドーパントだけでなく、たとえばSiのようなn形ドーパントを含有している。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体からなるn型層と、III-V族化合物半導体からなるp型層とが積層されることによりpn接合が形成される半導体装置であって、前記n型層がn型ドーパントおよびp型ドーパントを含有し、かつ、前記p型層がp型ドーパントおよびn型ドーパントを含有してなるpn接合を有するIII-V族化合物半導体装置。
Fターム (8件)：
5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58
引用特許：
審査官引用 (5件)
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