半導体集積回路装置と半導体集積回路の動作方法及び半導体集積回路装置の回路接続検証方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-227611
公開番号（公開出願番号）：特開平9-231756
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】動作マージンを確保しつつ、低消費電力化を実現した半導体集積回路装置を提供する。動作速度を犠牲にすることなく、高集積化と低電圧化及び低消費電力化を実現した半導体集積回路装置及びダイナミック型RAMを提供する。【解決手段】動作起動信号を含む外部端子から供給される入力信号に応答する入力回路ブロックと、かかる入力回路ブロックを通して入力された入力信号を受けて動作する内部回路ブロックと、かかる内部回路ブロックの出力信号を外部端子へ送出させる出力回路ブロックとに分け、外部端子から供給される動作電圧を伝える電源線と上記内部回路ブロックのうち非動作状態のときに記憶動作を必要としない第1の回路部分の内部電源線との間に並列形態に複数のスイッチMOSFETを設け、かつ上記入力回路を通して供給された起動信号を順次に遅延させた制御信号により順次にオン状態にして動作電圧を供給する。

請求項（抜粋）：

外部端子から供給される動作電圧を伝える電源線と、機能毎に分けられ、かつそれぞれが動作制御信号により回路動作を行うようにされた複数の回路ブロックと、各回路ブロックに対応してそれぞれ設けられた内部電源線と、上記電源線と各回路ブロックの上記内部電源線との間にそれぞれ設けられたスイッチMOSFETと、かかるスイッチMOSFETを上記動作制御信号によりスイッチ制御してなる電源スイッチ回路とを備えてなり、各回路ブロックに対応して設けられる上記スイッチMOSFETは、並列形態にされた複数のスイッチMOSFETからなり、複数のMOSFETのゲートには上記動作制御信号が順次に遅延されたものが供給されることによって、そのオン状態とオフ状態の切り替えタイミングが異なるようにされるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 11/407 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

G11C 11/34 354 F , H01L 27/10 681 C , H01L 27/10 681 E

引用特許：

審査官引用 (10件)

電力低減機構を持つ半導体集積回路とそれを用いた電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-022392 出願人：株式会社日立製作所
論理回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-017746 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-172691

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