特許
J-GLOBAL ID：200903018732753860
多結晶シリコン膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及びアニール装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041497
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294469
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 高熱電導率の材料膜上の非晶質シリコンを多結晶化して均質な多結晶シリコンを形成する。【解決手段】 基板10上に形成されたゲート電極12の上方にゲート絶縁膜14を介してゲート電極12を跨ぐようにa-Si膜20を形成し、その後a-Si膜20に対してハロゲンランプ照射によるRTA処理及びエキシマレーザ照射によるレーザアニール処理を施し、a-Si膜20を多結晶化させてp-Si膜24を得る。二種類のアニールを行うことにより、a-Si膜20の内、特にゲート電極12の上方領域においても均質で適切なグレインサイズの多結晶が得られる。得られたp-Si膜24をTFTの能動層(チャネル領域)として利用すれば、特性の優れたボトムゲート構造の多結晶シリコンTFTが得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された熱伝導率の高い材料膜の上方に非晶質シリコン膜を形成し、前記非晶質シリコン膜形成後、前記非晶質シリコン膜に対してランプアニール処理及びレーザアニール処理を施し、前記非晶質シリコン膜を多結晶化させて多結晶シリコン膜を得ることを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 617 A
