特許
J-GLOBAL ID：200903031120633145
面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102665
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018093
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【課題】 表面での非発光再結合および損傷を受けた領域での非発光再結合による電流損失を低減し、しきい値電流の低い面発光型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ装置では、第1導電型の半導体基板1上に、第1導電型の半導体多層反射膜2と、第1導電型のクラッド層3と、少なくともひとつの量子井戸構造をもつ量子井戸構造をもつ量子井戸活性層4と、第2導電型のクラッド層5と、第2導電型の半導体多層反射膜6と、第2導電型のコンタクト層7とが順次積層されてなる面発光型の半導体レーザ装置において、前記量子井戸活性層はそのまま残留させ、第2導電型のクラッド層5上の前記第2導電型の半導体多層反射膜6および第2導電型のコンタクト層7とを選択的に除去するようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、第1導電型の半導体多層反射膜と、第1導電型のクラッド層と、少なくともひとつの量子井戸構造をもつ量子井戸活性層と、第2導電型のクラッド層と、第2導電型の半導体多層反射膜と、第2導電型のコンタクト層とが順次積層されてなる面発光型の半導体レーザ装置において、前記量子井戸活性層はそのまま残留させ、前記第2導電型のクラッド層上の前記第2導電型の半導体多層反射膜および前記第2導電型のコンタクト層とを選択的に除去したことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/363
H01S 3/18
, H01L 21/203 M
, H01L 21/363
