特許

J-GLOBAL ID：200903016767394771

エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法

発明者： 藍郷 崇 ,  藤本 辰雄 ,  勝野 正和 ,  澤村 充 ,  柘植 弘志 ,  中林 正史 ,  矢代 弘克 ,  大谷 昇
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-151514
公開番号（公開出願番号）：特開2006-328455
出願日： 2005年05月24日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で平坦性に優れた炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】表面粗さが1.0nm以下である炭化珪素単結晶基板の(000-1)面上に、熱化学蒸着法により、1500°C以下の成長温度で炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶基板の(000-1)面上に炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。

IPC (4件)：

C23C 16/42 ,  C30B 25/20 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 A ,  H01L21/205

Fターム (31件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077DB01 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA11 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB01 ,  4G077TC06 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12

引用特許：

審査官引用 (5件)

• SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-084510   出願人：富士電機株式会社
• 炭化けい素半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-160338   出願人：富士電機株式会社
• バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-089227   出願人：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所
• 炭化珪素基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-096678   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
• 炭化けい素半導体基板とその製造方法およびその基板を用いた炭化けい素半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336511   出願人：富士電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長
• 4H-SiC(000-1)面上の高速,高純度エピタキシャル成長
• 4H-SiC(000-1)C面のエピタキシャル成長
• Homoepitaxial growth of 4H-SiC on on-axis (0 0 0 1 ̄) C-face substrates by chemical vapor depositon