炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素平滑化基板、炭化珪素エピタキシャルウエハ、窒化ガリウムウエハ、及び半導体製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090698
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277229
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】炭化珪素の結晶成長に関与し、エピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素平滑化基板、炭化珪素エピタキシャルウエハ、窒化ガリウムウエハ、及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】本発明の炭化珪素平滑化基板の作製方法は、炭化珪素基板の平滑化における水素エッチング時に原料ガス(シラン)を添加することを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板の平滑化における水素エッチング時に原料ガスを添加することを特徴とする炭化珪素平滑化基板の作製方法。

IPC (2件)：

H01L21/302 , C30B29/36

FI (2件)：

H01L21/302 201A , C30B29/36 A

Fターム (14件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA06 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK10 , 5F004AA11 , 5F004BA19 , 5F004DA00 , 5F004DA24 , 5F004DB00

引用特許：

審査官引用 (3件)

シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-114804 出願人：信越半導体株式会社, 東京エレクトロン株式会社
気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-066883 出願人：信越半導体株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-182063 出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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