半導体の異方性プラズマエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-616056
公開番号（公開出願番号）：特表2002-543611
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2002年12月17日
要約：

【要約】半導体基体における構造体、例えばシリコン基体(18)にエッチングマスクによってラテラル方向に正確に定められている凹所を、プラズマ(28)を用いて異方性エッチングするための方法が提案される。その際半導体基体に、少なくとも、前以て決められている時間間隔にわたって持続するエッチング工程の期間、イオン加速電圧が印加される。この電圧は殊に、高周波交番電圧を介して誘起される。エッチング工程の時間間隔は更に少なくとも2つのエッチング区間に分割される。これらエッチング区間の間で、印加されるイオン加速電圧はその都度変化される。有利には2つのエッチング区間が設けられており、その際第1のエッチング区間の期間、第2のエッチング区間の期間におけるよりも高い加速電圧が使用される。第1のエッチング区間の長さは更に、エッチング工程の期間、ポリマー貫通突破を検出するための装置を用いてダイナミックまたはスタチックに決定することができる。加速電圧を発生しかつその高さを調整設定するために、更に有利には、調整設定可能なパルス/休止時間比を有する高周波パルスないしパルスパケットが使用される。

請求項（抜粋）：

半導体基体における構造体、例えばシリコン基体(18)にエッチングマスクによってラテラル方向に正確に定められている凹所を、プラズマ(28)を用いて異方性エッチングするための方法であって、半導体基体に、少なくとも、前以て決められている時間間隔にわたって持続するエッチング工程の期間、プラズマ(28)と半導体基体との間にイオン加速電圧を印加する形式の方法において、前記エッチング工程の時間間隔を少なくとも2つのエッチング区間に分割し、該区間間で、印加されるイオン加速電圧をその都度変化させることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , H05H 1/46

FI (3件)：

B01J 19/08 H , H05H 1/46 A , H01L 21/302 J

Fターム (19件)：

4G075AA30 , 4G075AA61 , 4G075AA65 , 4G075BC06 , 4G075CA25 , 4G075CA39 , 4G075CA47 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 5F004AA04 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004CA03 , 5F004CB02 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004EA11 , 5F004EB04

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-105413
特開平2-105413
特表平7-503815

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