特許
J-GLOBAL ID：200903018832447333

半導体装置およびその製造方法

発明者：
上野 和良

上野 和良 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-195997
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039916
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】金属領域を備えた半導体装置において、ストレスマイグレーション耐性を高め、信頼性を向上させる。【解決手段】絶縁膜101中に、バリアメタル膜102および銅含有金属膜103からなる下層配線を形成し、この上に層間絶縁膜104(または104aおよび104b)を形成する。この層間絶縁膜104(または104aおよび104b)中にバリアメタル膜106(または106aおよび106b)および銅含有金属膜111(または111aおよび111b)からなる上層配線を形成する。下層配線および上層配線の表面に銀含有金属保護膜108aおよび108bを形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された、銅を主成分とする金属領域と、 を含み、 前記金属領域の上部表面近傍に、銅とは異なる異種金属元素が偏在した異種元素偏在部が設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L21/88 M ,  H01L21/90 A
Fターム (48件)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ79 ,  5F033RR01 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033XX06
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM