Cu2O薄膜及び太陽電池の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078051
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282897
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】簡便な方法によってCu2O薄膜の欠陥準位を低減する。【解決手段】洗浄したガラス基板上に反応性スパッタ法によって膜厚約1μmのCu2O薄膜を作製した。このCu2O薄膜を形成した基板をクラウンエーテルシアン溶液に2分間浸漬してCu2O薄膜にシアン処理を施した。その後、Cu2O薄膜を形成した基板を室温でアセトン、エタノール、純水の順に洗浄を行った。このシアン処理を行ったCu2O薄膜とシアン処理を行わなかったCu2O薄膜について、フォトルミネッセンスを測定すると、シアン処理後のCu2O薄膜にはバンド端付近に発光が観測された。

請求項（抜粋）：