特許

J-GLOBAL ID：200903018864465317

半導体装置

発明者： 田中 康雄 ,  坂本 吉史
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-219972
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054790
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】半導体装置と実装基板との接続信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】外部接続端子110を有する半導体装置100であって、外部接続端子110は、Cu電極106と、Cu電極106上に形成されたCuを含む金属間化合物118と、金属間化合物118の表面を、間隔をあけて覆うストッパー部132及び136と、ストッパー部132及び136上及び金属間化合物118上に形成されたBiとSnを含む不純物とからなる半田合金と、を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

外部接続端子を有する半導体装置であって、前記外部接続端子は、 Cu電極と、 前記Cu電極上に形成されたCuを含む金属間化合物と、 前記金属間化合物の表面を、間隔をあけて覆うストッパー部と、 前記ストッパー部上及び金属間化合物上に形成されたBiとSnを含む不純物とからなる半田合金と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L21/92 603E ,  H01L21/92 603B ,  H01L21/92 603F ,  H01L23/12 501C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• はんだ合金
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-024899   出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 接続バンプの形成方法、半導体素子および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-316676   出願人：富士通株式会社
• 電子装置及び電子装置の実装方法及び電子装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-374966   出願人：富士通株式会社
• ICウエハのハンダバンプ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-125584   出願人：沖電気工業株式会社
• 金属ボールの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-349346   出願人：カシオ計算機株式会社