特許
J-GLOBAL ID：200903018864510819
フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大谷 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-092377
公開番号（公開出願番号）：特開2000-284506
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、エッチング後に残存するフォトレジストおよびフォトレジスト残渣を短時間で容易に剥離でき、その際、各種半導体層材料、配線材料、絶縁膜材料等を全く腐食しないフォトレジスト剥離物組成物を提供すること。【解決手段】 (1)含窒素有機ヒドロキシル化合物、(2)一般式HO-(Cp H2pO)q -R(Rは炭素数1〜4のアルキル基、pは2又は3、qは1,2又は3をそれぞれ示す)で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、(3)糖類または糖アルコール類、(4)リン含有化合物および(5)水からなるフォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いるフォトレジスト剥離方法である。
請求項（抜粋）：
(1)含窒素有機ヒドロキシル化合物、(2)一般式HO-(Cp H2pO)q -R(Rは炭素数1〜4のアルキル基、pは2又は3、qは1,2又は3をそれぞれ示す)で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、(3)糖類または糖アルコール類、(4)リン含有化合物および(5)水からなるフォトレジスト剥離剤組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 7/42
, H01L 21/30 572 B
2H096AA25
, 2H096AA30
, 2H096HA23
, 2H096HA30
, 2H096LA03
, 5F046MA02
