特許
J-GLOBAL ID：200903019108275411

窒化物半導体素子

発明者：
谷沢 公二

谷沢 公二 について

, 
三谷 友次

三谷 友次 について

, 
丸居 宏充

丸居 宏充 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023048
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232236
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 素子の信頼性を向上させ、種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力のさらなる向上が可能となり、Vfの低い静電耐圧の良好となる窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 n型窒化物半導体にn型多層膜層を、p型窒化物半導体にp型多層膜層をそれぞれ有し、前記n型多層膜層及びp型多層膜層を構成するそれぞれの窒化物半導体層の組成及び/又は層数が異なる。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、n型窒化物半導体にn型多層膜層を、p型窒化物半導体にp型多層膜層をそれぞれ有し、前記n型多層膜層を構成する窒化物半導体の組成と、p型多層膜層を構成する窒化物半導体の組成とが、異なることを特徴とする窒化物半導体素子。
Fターム (17件)：
5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM