特許
J-GLOBAL ID：200903019161104920

レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者：
野崎 耕司

野崎 耕司 について

, 
小澤 美和

小澤 美和 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-222310
公開番号（公開出願番号）：特開2008-046395
出願日： 2006年08月17日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
【課題】パターニング時に露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光をも利用可能であり、ホール状パターン等のレジストパターンをそのサイズに依存することなく厚肉化することができ、しかも該レジストパターンの形状劣化を抑制してレジスト抜きパターンを精度よく狭小化可能であり、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜きパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法等の提供。【解決手段】本発明のレジストパターンの形成方法は、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、レジストパターン厚肉化材料を塗布し、加熱した後、現像することにより前記レジストパターンを厚肉化するレジストパターン厚肉化工程と、厚肉化後のレジストパターンを更に加熱する加熱処理工程とを少なくとも含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、樹脂と下記一般式(1)で表される化合物とを含むレジストパターン厚肉化材料を塗布し、加熱した後、現像することにより前記レジストパターンを厚肉化するレジストパターン厚肉化工程と、厚肉化後のレジストパターンを更に加熱する加熱処理工程とを少なくとも含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570
Fターム (12件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  2H096HA07 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA30 ,  5F046AA17 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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