特許
J-GLOBAL ID：200903019185155950
圧電素子の製造方法およびレジスト塗布装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-346919
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177364
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 圧電素子片に対してレジストを適正に塗布することにより、信頼性の高い圧電素子を製造することのできる圧電素子の製造方法、およびレジスト塗布装置を提供すること。【解決手段】 圧電素子1は音叉型水晶振動子であり、圧電素子片2の両面のそれぞれに金属膜を形成した後、フォトレジストRを塗布し、それに露光、現像を行なって、金属膜から電極膜41、42をパターニング形成するためのレジストマスクを形成する。このようなフォトレジストRを塗布するにあたって、インクジェットヘッドからレジスト液を圧電素子片2の塗布面に対して斜め方向から吐出させ、圧電素子片2の側端面にもフォトレジストRを塗布する。
請求項（抜粋）：
圧電素子片の表面に電極膜形成用の金属膜を形成する金属膜形成工程と、当該金属膜の表面にレジストマスクを形成するマスク形成工程と、当該レジストマスクを用いて前記金属膜をパターニングし、前記圧電素子片の表面で所定のギャップを隔てるように分割された2つ以上の電極膜を形成するパターニング工程とを有する圧電素子の製造方法において、前記マスク形成工程では、インクジェットヘッドからレジスト液を吐出して前記金属膜の表面にレジストを塗布した後、該レジストに露光および現像を行なって前記レジストマスクを形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。
IPC (3件)：
H03H 3/02
, H01L 41/22
, H03H 9/19
H03H 3/02 B
, H03H 3/02 A
, H03H 9/19 J
, H01L 41/22 Z
