特許
J-GLOBAL ID：200903019310428661
結合基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262966
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080314
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】結合基板の製造において、ボイド等の不良の発生を低減するとともに結合強度を高める。【解決手段】結合基板の製造方法は、シリコンを含む結合面を有する第1及び第2基板の少なくとも一方を処理する結合面処理工程と、第1基板の結合面と第2基板の結合面とを結合させる結合工程とを含む。結合面処理工程は、結合面のOH基を増加させるOH基増加工程S100と、OH基が増加した結合面を50°C〜200°Cの範囲内の温度で加熱して水分量を低減する水分量低減工程S120とを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
結合基板の製造方法であって、
シリコンを含む結合面を有する第1及び第2基板の少なくとも一方を処理する結合面処理工程と、
前記第1基板の結合面と前記第2基板の結合面とを結合させる結合工程とを含み、
前記結合面処理工程は、
結合面のOH基を増加させるOH基増加工程と、
OH基が増加した結合面を50°C〜200°Cの範囲内の温度で加熱して水分量を低減する水分量低減工程とを含むことを特徴とする結合基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
