特許
J-GLOBAL ID:200903019345614360

超電導磁石とその保護回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-189702
公開番号(公開出願番号):特開2006-352146
出願日: 2006年07月10日
公開日(公表日): 2006年12月28日
要約:
【課題】クライオスタット内にダイオード等の半導体を設置すること無く、超電導コイルを保護できるようにしたことにある。【解決手段】クライオスタット内に収容された超電導コイル1と、前記クライオスタットの外部に設置され、超電導コイル1を励磁するための励磁電源10と、前記クライオスタット内に設置され、励磁電源10と超電導コイル1間に介挿された酸化物超電導体からなる電流リード9と、超電導コイル1に並列に接続された保護回路とで構成された超電導磁石において、超電導コイル1と電流リード9間に一端が接続され、前記クライオスタットの外部に導出された一対の補助リード27と、この一対の補助リード27間に前記クライオスタットの外部で直列に接続された放電抵抗14とで構成する。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
超電導コイルがクライオスタット内部に配置された超電導磁石において、 前記クライオスタット内の超電導コイルに通電するための電流導入端子を前記クライオスタットの内部から外部に貫通させて設置し、この電流導入端子の外部側に向けて送風可能に送風手段を設けたことを特徴とする超電導磁石。
IPC (4件):
H01F 6/04 ,  H01F 6/02 ,  H01F 6/00 ,  H01L 39/04
FI (4件):
H01F7/22 G ,  H01F7/22 K ,  H01F7/22 J ,  H01L39/04
Fターム (9件):
4M114AA15 ,  4M114BB08 ,  4M114CC03 ,  4M114CC16 ,  4M114DA02 ,  4M114DA12 ,  4M114DA15 ,  4M114DA33 ,  4M114DA45
引用特許:
審査官引用 (13件)
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