特許
J-GLOBAL ID：200903019383969717

レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275883
公開番号（公開出願番号）：特開2007-086479
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、解像力、ラインエッジラフネス、エッチング速度比が良好なレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】(A)ラクトン基とナフタレン環を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)ラクトン基とナフタレン環を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  C08F 20/30 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  C08F20/30 ,  H01L21/30 502R
Fターム (19件)：
2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100BA02P ,  4J100BA15P ,  4J100BC49P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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