特許

J-GLOBAL ID：200903019575199532

露光用反射型マスクとその製造方法、並びに露光装置とデバイス製造方法、並びに半導体デバイス

発明者： 塚本 雅美 ,  千葉 啓子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-132372
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313248
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】 ウエハ上に形成される回路パターンの線幅精度および位置精度を向上させることができる反射型マスクを提供する。【解決手段】 モリブデン(Mo)層1とシリコン(Si)層2とを交互に積層した多層反射膜6の層のうちSi層2にはホウ素(B)が添加される。こうすることによって多層反射膜6の反射率を大幅に低下させることなく多層反射膜6の導電性を向上させることによって、反射型マスクにマスクパターンを形成する工程において多層反射膜6や吸収体層4などに発生するチャージアップを抑制することができるため、マスクパターンの線幅精度および位置精度を向上させることができ、ウエハ上に形成される回路パターンの線幅精度および位置精度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

光学定数が異なる物質を交互に積層した多層反射膜を露光光を反射する反射部とし、かつ該露光光を反射しない非反射部を設けた露光用反射型マスクにおいて、前記多層反射膜の層のうち、少なくとも1つの層を不純物半導体としたことを特徴とする露光用反射型マスク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503

FI (3件)：

G03F 1/16 A ,  G03F 7/20 503 ,  H01L 21/30 531 M

Fターム (19件)：

2H095BA01 ,  2H095BA02 ,  2H095BA07 ,  2H095BA10 ,  2H095BC08 ,  2H095BC14 ,  2H095BC17 ,  2H097CA12 ,  2H097CA15 ,  2H097GB01 ,  2H097GB02 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  2H097LA12 ,  5F046GD01 ,  5F046GD10 ,  5F046GD16 ,  5F046GD17 ,  5F046GD20

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 反射型マスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-168566   出願人：株式会社ニコン
• 特開昭64-004021
  
• X線マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-183740   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社
• X線マスクおよびX線マスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-155486   出願人：株式会社東芝
• X線マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-113476   出願人：三菱電機株式会社
• X線マスクおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-049517   出願人：キヤノン株式会社