特許

J-GLOBAL ID：200903019583914755

窒化物半導体の製造方法

発明者： 藤倉 序章
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-034357
公開番号（公開出願番号）：特開2005-225693
出願日： 2004年02月12日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】n型窒化物半導体を成長する際に、ウェハ面内に成長速度の分布が存在する場合においても、ウェハ面内で均一なドーピング濃度を実現する窒化物半導体の製造方法を提供すること。【解決手段】基板1上にn型窒化物半導体(n型GaN層5)を気相成長法により成長する窒化物半導体の製造方法において、前記n型窒化物半導体中の電子濃度が窒化物半導体の成長領域へのn型ドーパント原料の導入量によらず一定である、n型ドーパントの導入量領域を用いて、窒化物半導体中にn型ドーパントを供給する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にn型窒化物半導体を気相成長法により成長する窒化物半導体の製造方法において、前記n型窒化物半導体中の電子濃度が窒化物半導体の成長領域へのn型ドーパント原料の導入量によらず一定である、n型ドーパントの導入量領域を用いて、窒化物半導体中にn型ドーパントを供給することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (7件)：

C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

FI (5件)：

C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01L29/80 H

Fターム (63件)：

4G077AA03 ,  4G077BE01 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TJ06 ,  4G077TK01 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045CA12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-085932   出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (3件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-146383   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-011695   出願人：ユナイテッドエピタクシーカンパニーリミッテッド
• 電力変換装置及びそれに用いるGaN系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-247518   出願人：古河電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御