特許
J-GLOBAL ID：200903094361696620

III族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法

発明者：
柴田 直樹

柴田 直樹 について

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上村 俊也

上村 俊也 について

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浅井 誠

浅井 誠 について

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小出 康夫

小出 康夫 について

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村上 正紀

村上 正紀 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274459
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 接触抵抗の小さい、経時変化の少ないp電極を提供すること。【解決手段】 サファイア基板1の上、順次、AlNから成るバッファ層2、シリコン(Si)ドープのGaNから成る高キャリア濃度n+層3、Siドープのn型Al0.07Ga0.93Nから成るnクラッド層4、Siドープのn型GaNからなるnガイド層5、膜厚約2nmのGa0.9In0.1Nから成る井戸層61と膜厚約4nmのGa0.97In0.03Nから成るバリア層62とが交互に積層された多重量子井戸構造(MQW)の活性層6、MgドープGaNから成るpガイド層7、MgドープAl0.07Ga0.93Nから成るpクラッド層8、MgドープGaNから成るpコンタクト層9が形成されている。p電極10を、膜厚50nmの窒化チタン(TiN)又は窒化タンタル(TaN)で形成する。この電極は熱処理により抵抗が低下する。
請求項（抜粋）：
p型のIII族窒化物系化合物半導体を有する素子において、前記p型のIII族窒化物系化合物半導体上に形成された、窒化タンタル(TaNx)、窒化チタン(TiNx)又は窒化タンタルチタン(TayTi1-yNz)からなる電極を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。
IPC (9件)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/43 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/323
FI (11件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/285 S ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/46 B
Fターム (59件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA11 ,  4G077HA05 ,  4G077HA06 ,  4M104AA03 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA24 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA82 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045CB10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA13 ,  5F045HA16 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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