特許
J-GLOBAL ID：200903019604872217
ダイアモンド状のカーボンチャネルを有する電界効果トランジスタの製造方法、及び該製造方法により製造されるトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-504450
公開番号（公開出願番号）：特表2007-531257
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
ダイアモンド状のカーボンチャネルを有する電界効果トランジスタの製造方法、及び該製造方法により製造されるトランジスタ。 前記電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜(3)によりチャネル(7)から分離されたゲート電極(5)により制御されるチャネル(7)により接続されるソース(10)及びドレイン(11)を含む。前記チャネル(7)はダイアモンド状のカーボン層により形成される。前記トランジスタの製造方法は、続いて、ダイアモンド状のカーボン層を基板上(2)に堆積させ、ゲート絶縁層(3)を堆積させ、そして、少なくとも1つの導電層(4)を堆積させることを含む。前記導電層(4)は前記ゲート電極(5)からエッチングされる。次に、側面の絶縁膜(6)を形成するために、前記ゲート電極(5)の側面に絶縁材料が堆積される。次に、前記ゲート絶縁層(3)がエッチングされ、そして、前記ダイアモンド状のカーボン層がチャネル(7)の輪郭を描くようにエッチングされる。次に、前記ソース(10)を形成するための半導体材料、及び前記ドレイン(11)を形成するための半導体材料がチャネル(7)の両側に堆積される。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜(3)によりチャネル(7)から分離されたゲート電極(5)により制御されるチャネル(7)により接続されるソース(10)及びドレイン(11)を含む電界効果トランジスタの製造方法であって、前記チャネル(7)はダイアモンド状のカーボン層(1)により形成され、前記方法は、
ダイアモンド状のカーボン層(1)を基板(2)上に堆積させ、
前記ダイアモンド状のカーボン層(1)上に絶縁ゲート層(3)を堆積させ、
前記絶縁ゲート層(3)上に少なくとも1つの導電層(4)を堆積させ、前記ゲート電極(5)を形成するように側面をエッチングし、
側面の絶縁膜(6)を形成するために前記ゲート電極(5)の側面に絶縁材料を堆積させ、
前記ゲート絶縁層(3)をエッチングし、
前記チャネル(7)の輪郭を描くように前記ダイアモンド状のカーボン層(1)をエッチングし、
前記ソース(10)を形成するための半導体材料(9a)及び前記ドレイン(11)を形成するための半導体材料(9b)を前記チャネル(7)の両側に堆積させることを含むことを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 27/08
, H01L 21/823
, H01L 27/092
H01L29/78 618B
, H01L29/78 613A
, H01L29/78 616L
, H01L27/08 331E
, H01L27/08 321B
5F048AB04
, 5F048AC04
, 5F048BA14
, 5F048BA15
, 5F048BA16
, 5F048BB04
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F048BC01
, 5F048BC03
, 5F048BC15
, 5F048BD09
, 5F048DA23
, 5F110AA02
, 5F110BB04
, 5F110DD12
, 5F110EE31
, 5F110EE45
, 5F110GG01
, 5F110GG58
, 5F110HM07
, 5F110QQ11
, 5F110QQ19
