特許
J-GLOBAL ID：200903019619588221
半導体受光器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-136942
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320077
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】 紫外域受光器に必要な逆バイアス電圧を低減する。【解決手段】 複数種のウルツ鉱型半導体を用いて形成したp型半導体層-真性半導体層-n型半導体層(p-i-n)構造を含む半導体受光器において、真性半導体層(i層)における格子不整に基づくピエゾ電場と自然分極に基づく電場を重畳した電場がn型半導体層(n層)からp型半導体層(p層)に向かう方向となるような材料構成を用いるものである。または、前記真性半導体層(i層)は、n型の不純物を1016以下にドーピングした層、p型の不純物を1016以下にドーピングした層、n型の不純物を1016以下にドーピングした層とp型の不純物を1016以下にドーピングした層とを組み合せた層のいずれかからなるものでもよい。
請求項（抜粋）：
複数種のウルツ鉱型半導体を用いて形成したp型半導体層-真性半導体層-n型半導体層(p-i-n)構造を含む受光器において、真性半導体層(i層)における格子不整に基づくピエゾ電場と自然分極に基づく電場を重畳した電場がn型半導体層(n層)からp型半導体層(p層)に向かう方向となるような材料構成を用いることを特徴とする半導体受光器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 31/10 A
5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AF04
, 5F045AF13
, 5F045BB16
, 5F045CA13
, 5F045DA52
, 5F045DA59
, 5F045DA69
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA13
, 5F049NA20
, 5F049SE05
, 5F049SS04
, 5F049UA11
, 5F049WA05
