特許
J-GLOBAL ID:200903019753976351

2軸検出型磁気センサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-016559
公開番号(公開出願番号):特開2006-208020
出願日: 2005年01月25日
公開日(公表日): 2006年08月10日
要約:
【課題】 同一基板内での構成にて、2軸の磁気が検出可能となり、更に磁気バイアスを効率良く印加できる、量産性のすぐれた2軸検出型磁気センサおよびその製造方法を得る。 【解決手段】 高周波電流をキャリアとして印加する際のインピーダンスが外部磁界により変動する磁性体からなるインピーダンス素子を用いた磁気センサにおいて、ガラス基板B21上に二つの前記板状の磁性膜である磁気インピーダンス素子31,32が、各々、略90°に配置され、前記二つの磁気インピーダンス素子31,32に、印加磁界を斜めθ方向から印加することにより一基板上にある2軸分の2つのインピーダンス素子に一挙に必要な磁気特性が付与された2軸検出型磁気センサ。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
高周波電流をキャリアとして印加した場合のインピーダンスが、外部磁界により変動する磁性薄膜磁気インピーダンス素子からなる2軸検出型磁気センサにおいて、一つの基板上に二つの前記板状の磁性薄膜磁気インピーダンス素子が、各々、略90°の角度をなして配置され、前記二つの磁性薄膜磁気インピーダンス素子に、印加磁界を、前記板状の磁性薄膜磁気インピーダンス素子のいずれかの素子のストライプ構造における長手方向と、角度θをなす方向から印加することにより、一基板上にある前記磁性薄膜磁気インピーダンス素子に対し、一遍に磁気異方性が付与されたことを特徴とする2軸検出型磁気センサ。
IPC (1件):
G01R 33/02
FI (1件):
G01R33/02 D
Fターム (5件):
2G017AA03 ,  2G017AA16 ,  2G017AC09 ,  2G017AD51 ,  2G017AD65
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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