特許
J-GLOBAL ID：200903044518089482
ブリッジ型磁界センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075172
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270774
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 励磁調整が容易で品質特性や検出磁界感度に優れ、外部環境に影響されずに安定して動作する簡素な構成のブリッジ型磁界センサを提供すること。【解決手段】 このブリッジ型磁界センサ11は、誘電体板上の一方の主面に4つの軟磁性薄膜4a,4b,4c,4dを四辺としてブリッジ回路を成すように各辺に配設して4つ磁気検出部を持たせて成る磁気検出素子に対し、同時に誘電体板2上の一方の主面のブリッジ回路における4隅の接続点位置に軟磁性薄膜4a,4b,4c,4dに電流を流すための入力端子及び出力端子としての4つの電極9a,9b,9c,9dを設けて構成される。又、誘電体板上の他方の主面はブリッジ回路の外乱の影響を回避するために接地導体層で覆われている。ここで軟磁性薄膜4a,4b,4c,4dは、予め決められた一方向に交差する他方向からの外部磁界を受けたときに生じるインピーダンスの変化を検出する。
請求項（抜粋）：
予め決められた一方向に交差する他方向からの外部磁界を受けたときに生じるインピーダンスの変化を検出するための軟磁性薄膜を誘電体板の一方の主面に設けて成る磁気検出素子を用いた磁界センサであって、前記軟磁性薄膜は前記誘電体板上にブリッジ回路を成すように配設されたことを特徴とするブリッジ型磁界センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
H01L 43/08 P
, H01L 43/08 A
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
