特許

J-GLOBAL ID：200903019975138680

光電池

発明者： チティバブ、ケシーニ ジー. ,  ヒー、ジン-アン ,  サミュエルソン、リン アン ,  リー、リアン ,  トリパシー、スーザン ,  クマー、ジャヤント ,  バラスブラマニアン、スリニバサン
出願人/特許権者： ユニバーシティー オブ マサチューセッツ
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-519485
公開番号（公開出願番号）：特表2005-520314
出願日： 2002年06月14日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

光電池の製造方法は、架橋剤と半導体粒子とを接触させる工程、ならびにその半導体粒子を光電池に組み込む工程を有する。

請求項（抜粋）：

光電池の製造方法において、 半導体粒子と架橋剤を接触させる工程と、 前記半導体粒子を前記光電池に組み込む工程とを有する方法。

IPC (2件)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (15件)：

5F051AA14 ,  5F051BA14 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032BB02 ,  5H032BB07 ,  5H032CC14 ,  5H032CC17 ,  5H032EE02 ,  5H032EE14 ,  5H032HH01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 光電気セル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-333995   出願人：触媒化成工業株式会社
• 光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-330079   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体電極、その製造方法、及び、光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-279607   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 酸化物半導体電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-189224   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 高分子固体電解質を用いた光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-315925   出願人：ダイソー株式会社