特許
J-GLOBAL ID：200903019994118062

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
菅原 保晴

菅原 保晴 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-060276
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245380
出願日： 2005年03月04日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 光取り出し効率が改善された半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 第1及び第2の主面を有し、第1の波長帯の光に対する透光性を有する基板10と、前記第1の主面の上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する発光層を含む半導体積層体19と、を備え、前記基板は、前記第1及び第2の主面よりも、前記第1の主面と前記第2の主面との間における断面のほうが実質的に小さくなるように、その側面に凹部28が設けられたことを特徴とする半導体発光素子70を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1及び第2の主面を有し、第1の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、 前記第1の主面の上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する発光層を含む半導体積層体と、 を備え、 前記基板は、前記第1及び第2の主面よりも、前記第1の主面と前記第2の主面との間における断面のほうが実質的に小さくなるように、その側面に凹部が設けられたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 A
Fターム (14件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA99 ,  5F041DA06 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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