多波長半導体レーザアレイ装置(チップ)を製造および実装する技術、ならびにシステムアーキテクチャにおけるその応用

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-513174
公開番号（公開出願番号）：特表2001-517866
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2001年10月09日
要約：

【要約】急激な四分の一波長シフト(または徐々に変化するより微細な位相シフト)を伴ってまたは伴わずに、ウエハ/基板上に同時に単一または多数のサブミクロンピッチの直線グレーティングおよびカーブグレーティングを作製するために用いることができる位相マスクである。この位相マスクは、石英基板上の市販で入手可能なπ位相シフト材料上への直線およびカーブグレーティングの必要とされるサブミクロンピッチの2倍のピッチでの直接書き込み電子またはイオンビームリソグラフィと、π位相シフト材料のウェットまたはドライエッチングとを用いて作製される。この位相マスクは、多波長レーザダイオードチップの作製に関して用いることができる。レーザダイオードは、リッジの両側に金属ショルダを有するリッジ構造を有する。異なる波長のレーザを有するレーザダイオードチップは、高い信号対雑音比および低クロストークを可能にする新規なマイクロ波基板にボンディングされ、インタフェースされる。この基板は、WDMの応用の場合、低損失の起伏のあるハウジングに実装される。

請求項（抜粋）：

特定の波長の光とともに使用される位相マスクを形成する方法であって、上に位相シフト材料層を有する基板を設ける工程と、該位相シフト材料層をレジスト材料でコーティングする工程と、電子ビームまたはイオンビームリソグラフィを用いて該レジスト材料をパターニングし、サブミクロンピッチのマスクグレーティングパターンを規定する工程と、露光された位相シフト材料をエッチングして、基板材料を露出するステップと、該レジスト材料を除去して、該マスクグレーティングパターンに従った、露出された基板材料の領域と交互になる位相シフト材料の領域を現す工程と、を包含する、方法。

IPC (6件)：

H01S 5/22 610 , G03F 7/20 501 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , G03F 1/08 , G03F 7/40 521

FI (6件)：

H01S 5/22 610 , G03F 7/20 501 , G03F 1/08 A , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 P , H01L 21/302 B

Fターム (39件)：

2H095BB03 , 2H095BB09 , 2H095BB10 , 2H096AA25 , 2H096AA28 , 2H096EA06 , 2H096EA08 , 2H096EA23 , 2H096HA23 , 2H097AA03 , 2H097CA11 , 2H097CA16 , 2H097LA10 , 2H097LA17 , 5F004BA04 , 5F004BA11 , 5F004BA13 , 5F004BA14 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB19 , 5F004DB22 , 5F004EB04 , 5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA64 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073AB06 , 5F073BA02 , 5F073CA07 , 5F073CA12 , 5F073CB22 , 5F073DA25

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-344645
特開平3-209474
シリカガラス位相グレーティングマスクを用いるブラッググレーティングの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-270361 出願人：カナダ

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