特許
J-GLOBAL ID：200903020118935876

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

発明者：
大福 幸司

大福 幸司 について

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北 弘志

北 弘志 について

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大津 信也

大津 信也 について

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香川 宣明

香川 宣明 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-371879
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207224
出願日： 2003年10月31日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】 高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表されるモノメチン化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。(Aは5員環または6員環の芳香族炭素環または複素環を表す。Qは一般式(1)で表される化合物に可視域または近赤外域に吸収能を付与可能な原子団を表し、かつ、このQは、直接または連結基を介して-COOM基を少なくとも一つ有する。Mは水素原子または塩形成陽イオンを表す。)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表されるモノメチン化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2件)：
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (14件)：
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051KA09 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (4件)
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