特許
J-GLOBAL ID：200903020152439080
化学増幅系レジスト
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-313190
公開番号（公開出願番号）：特開平11-143078
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅系レジストの溶解コントラストが高いため、レジストの解像性能が優れ、従って半導体デバイスの高集積化が可能な化学増幅系レジストを提供する。【解決手段】 少なくとも酸触媒により極性が変化するポリヒドロキシスチレン樹脂と光酸発生剤からなる化学増幅系ポジ型レジストにおいて、該光酸発生剤が酸触媒反応によって分解する保護基を有する化学増幅系レジスト。
請求項（抜粋）：
少なくとも酸触媒により極性が変化するポリヒドロキシスチレン樹脂と光酸発生剤からなる化学増幅系ポジ型レジストにおいて、該光酸発生剤が酸触媒反応によって分解する保護基を有することを特徴とする化学増幅系レジスト。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/033
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/033
, H01L 21/30 502 R
