特許

J-GLOBAL ID：200903020221082954

炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法

発明者： 矢代 弘克 ,  藤本 辰雄 ,  星野 泰三 ,  藍郷 崇 ,  勝野 正和 ,  柘植 弘志 ,  中林 正史 ,  平野 芳生 ,  大谷 昇 ,  巽 宏平
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (4件)： 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司 ,  佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-133348
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283629
出願日： 2008年05月21日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化した後に仕上げ研磨(ポリッシュ)で表面の酸化膜を除去することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

機械研磨により荒研磨した炭化珪素単結晶ウェハの表面を酸化し、形成された酸化膜を仕上げ研磨によって除去することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 ,  B24B 39/04 ,  B24B 37/00 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/306

FI (9件)：

H01L21/304 622N ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 621D ,  B24B39/04 Z ,  B24B37/00 H ,  H01L21/304 622P ,  C30B29/36 A ,  C30B33/00 ,  H01L21/306 M

Fターム (21件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA05 ,  3C058CB02 ,  3C058CB04 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077FE04 ,  4G077FG11 ,  4G077FG12 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F043AA05 ,  5F043AA32 ,  5F043BB12 ,  5F043BB22 ,  5F043DD16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-259116   出願人：株式会社デンソー
• メカノケミカル研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-003055   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素単結晶ウェハ表面の仕上げ研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-139721   出願人：新日本製鐵株式会社
• SiC薄膜におけるエピ前表面処理方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-520864   出願人：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース
• 炭化珪素基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-096678   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社