特許
J-GLOBAL ID：200903020221512061

半導体装置及びその製造方法

発明者：
太田 順道

太田 順道 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047000
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252233
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】SiCよりなる基板上に低抵抗のオーミック電極を高温の熱処理なしで形成する構成とその製造方法を提供する。【解決手段】SiC11、12上に形成されたSiGe層15と、前記SiGe層15上に形成されたオーミック電極18とを備えている半導体装置とする。
請求項（抜粋）：
SiC上に形成されたSiGe層と、前記SiGe層上に形成されたオーミック電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 29/80 B ,  H01L 29/78 301 B
Fターム (18件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GN02 ,  5F102GN10 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21 ,  5F140AA10 ,  5F140BA02 ,  5F140BA17 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ14 ,  5F140BK17 ,  5F140BK38
引用特許：
審査官引用 (6件)
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