ゲルマニウム高含有量導波路材料

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-564461
公開番号（公開出願番号）：特表2004-538226
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

液晶ベースのクロスコネクト光スイッチングデバイス用の光導波路を製造するのに適したゲルマニウム・シリコン・オキシド材料、ゲルマニウム・シリコン・オキシニトライド材料およびシリカ・ゲルマニア・チタニア材料は、1550nmでの約1.48から約1.52の屈折率および約3×10-6°C-1から約4.4×10-6°C-1の室温での熱膨張係数を有する。それらの組成は、ゲルマニウム・シリコン・オキシド材料、ゲルマニウム・シリコン・オキシニトライド材料またはシリカ・ゲルマニア・チタニア材料の屈折率が、一般的な液晶材料の屈折率に厳密に一致し、それによって、液晶ベースのクロスコネクト光スイッチングデバイスの光学的性能が改善されるように調整される。ゲルマニウム・シリコン・オキシド材料、ゲルマニウム・シリコン・オキシニトライド材料またはシリカ・ゲルマニア・チタニア材料の熱膨張係数は、シリコンの熱膨張係数に厳密に一致させられ、それによって、熱応力により生じる歪み誘発性複屈折が減少するかまたは防がれる。

請求項（抜粋）：

約0.25から約0.47のGe/(Si+Ge)モル比および0から約0.1のN/(N+O)モル比を持つゲルマニウム・シリコン・オキシドまたはオキシニトライドを有してなるガラス組成物。

IPC (5件)：

C03C3/076 , C03C3/06 , C03C3/062 , G02B6/12 , G02F1/31

FI (5件)：

C03C3/076 , C03C3/06 , C03C3/062 , G02F1/31 , G02B6/12 N

Fターム (82件)：

2H047KA03 , 2H047KA04 , 2H047KB09 , 2H047LA09 , 2H047NA02 , 2H047PA05 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047QA04 , 2H047RA08 , 2H047TA22 , 2K002AB04 , 2K002BA06 , 2K002CA14 , 4G062AA04 , 4G062BB01 , 4G062CC07 , 4G062CC10 , 4G062DA05 , 4G062DA06 , 4G062DA07 , 4G062DA08 , 4G062DB01 , 4G062DC01 , 4G062DD01 , 4G062DE01 , 4G062DF01 , 4G062EA01 , 4G062EA10 , 4G062EB01 , 4G062EC01 , 4G062ED01 , 4G062EE01 , 4G062EF01 , 4G062EG01 , 4G062FA01 , 4G062FB01 , 4G062FB02 , 4G062FB03 , 4G062FC01 , 4G062FD03 , 4G062FD04 , 4G062FD05 , 4G062FD06 , 4G062FD07 , 4G062FE01 , 4G062FF01 , 4G062FG01 , 4G062FH01 , 4G062FJ01 , 4G062FK01 , 4G062FL01 , 4G062GA01 , 4G062GA10 , 4G062GB01 , 4G062GC01 , 4G062GD01 , 4G062GE01 , 4G062HH01 , 4G062HH03 , 4G062HH05 , 4G062HH07 , 4G062HH09 , 4G062HH11 , 4G062HH13 , 4G062HH15 , 4G062HH17 , 4G062HH20 , 4G062JJ01 , 4G062JJ02 , 4G062JJ03 , 4G062JJ05 , 4G062JJ07 , 4G062JJ10 , 4G062KK01 , 4G062KK03 , 4G062KK05 , 4G062KK07 , 4G062KK10 , 4G062MM04 , 4G062NN01 , 4G062NN29

引用特許：

審査官引用 (9件)

チタニアおよびゲルマニアを含有する光導波路ファイバ
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-505225 出願人：コーニングインコーポレイテッド
特開昭60-005041
光フィルタ及びその出射光の周波数調整方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-179842 出願人：日立電線株式会社

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